| 型号： | 2N7002-7-F | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| 2N7002-7-F PDF |  |
| 产品变化通告 | Wire Change 22/Sept/2008 Encapsulate Change 15/May/2008 Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 产品目录绘图 | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 2N7002-FDITR |