型号:

2N7002-7-F

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Diodes Inc描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
2N7002-7-F PDF
产品变化通告 Wire Change 22/Sept/2008
Encapsulate Change 15/May/2008
Bond Wire Change 11/Nov/2011
产品目录绘图 SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 115mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 7.5 欧姆 @ 50mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 50pF @ 25V
功率 - 最大 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 2N7002-FDITR
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ACMD-7602-TR1G Avago Technologies US Inc. DUPLEXER FBAR UMTS BAND1 2.5X3MM
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